科学家揭示六方氮化硼合成新机制

中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员吴天如团队和华东师范大学教授袁清红团队,基于原位合成、表征研究与第一性原理计算方法,提出铁硼(Fe2B)合金表面高质量多层六方氮化硼(h-BN)原子空位辅助生长新机制。相关研究成果近日在线发表于《物理化学快报》。 [原文链接]

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