科学家成功研制新型超导存储器件

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员陈垒和王镇团队提出了一种新型3D nano-SQUID(三维结构的超导纳米量子干涉器件)超导存储器件,并发现利用其特有的偏离正弦函数的电流—位相关系,可以从原理上突破超导存储器的集成度瓶颈。该研究成果近日发表于《美国化学学会—纳米》。 [原文链接]

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